Micron анонсировала новую DDR5-9200 — революцию в DRAM с применением EUV-литографии
vgtimes.ruКомпания Micron Technology представила свою новейшую DDR5 микросхему, изготовленную по технологии 1γ с использованием EUV-литографии — первый такой опыт для компании. Новая 16-гигабитная (2 ГБ) DRAM демонстрирует скорость передачи данных до 9200 МТ/с при стандартном напряжении 1,1 В, что значительно превосходит базовые требования современных стандартов.
Новое изделие отличается не только повышенной тактовой частотой, но и улучшенными энергетическими характеристиками. По сравнению с предыдущей версией, выполненной по технологии 1β, новая микросхема потребляет на 20% меньше энергии и обладает на 30% большей плотностью бит, что может привести к снижению себестоимости производства при достижении оптимальных выходов. Несмотря на то, что скорость 9200 МТ/с выходит за рамки типичных спецификаций DDR5, Micron уверяет, что чип полностью соответствует стандартам JEDEC. Такой подход позволяет не только удовлетворить существующие требования, но и заложить основу для совместимости с будущими процессорами.
На текущем этапе компания отгружает образцы новой памяти избранным партнёрам для проведения всестороннего тестирования. Завершение квалификационных испытаний ожидается в конце квартала, а запуск массового производства намечен на середину 2025 года. Технология 1γ, впервые внедрившая EUV-литографию в производство, совмещает в себе традиционные методы многошаблонного DUV-процесса с новейшими разработками, такими как высокодиэлектрические металлические затворы и усовершенствованная архитектура межсоединений (BEOL).
Micron не собирается останавливаться на достигнутом — в планах компании дальнейшее использование технологии 1γ для создания новых продуктов, включая решения для графических карт (GDDR7) и мобильных устройств (LPDDR5X с частотой
