Смартфоны будущего могут отказаться от LPDDR ради ускорения ИИ
В ближайшие пару лет флагманские смартфоны могут сменить тип оперативной памяти. По данным отраслевых источников и инсайдеров, на смену привычной LPDDR в устройствах с продвинутыми ИИ-функциями готовится LLW DRAM — память с низкой задержкой и широкой шиной (Low Latency Wide DRAM). Если утечки подтвердятся, первыми такой шаг сделают Xiaomi и Huawei, а реальные сроки сдвинуты на вторую половину 2027 года.
Локальный запуск языковых моделей и генеративных нейросетей на смартфонах требует не только большого объёма ОЗУ, но и высокой скорости обмена данными между памятью и процессором. Стандарт LPDDR5X, даже в самых быстрых версиях, ограничен по пропускной способности и близок к пределу практической отдачи в тонком корпусе телефона. На серверном рынке для таких задач давно применяют HBM (High Bandwidth Memory) — многослойную память, расположенную вплотную к чипу и соединённую через очень широкий интерфейс, но HBM требует сложной упаковки и серьёзного охлаждения, что для смартфона неприемлемо. LLW как раз описывают как компромисс: взять подходы HBM к пропускной способности и задержкам, но адаптировать под ограничения мобильных устройств по толщине, нагреву и стоимости.
По замыслу, в LLW чипы памяти размещаются ближе к процессору, чем в традиционных схемах с LPDDR, а шина обмена данными становится заметно шире. За счёт этого достигается рост скорости и снижение времени отклика без радикального увеличения тепловыделения и без многоэтажных стеков, характерных для HBM. Предварительные оценки, которые приписывают инсайдеру Fixed Focus Digital, говорят о двукратном снижении энергопотребления и приросте производительности примерно в полтора раза по сравнению с текущими решениями LPDDR.
Флагманские смартфоны уже получили объёмы ОЗУ в 16 и
