3D Matrix Memory: Новинка от SanDisk
SanDisk представила 3D Matrix Memory — новый тип оперативной памяти, который позиционируется как альтернатива DRAM. ОЗУ в четыре раза вместительнее обычной при той же площади чипа и вдвое дешевле. Компания обещает, что с новой технологией можно сэкономить до 50% на каждом бите данных. Разработка призвана решить главные проблемы DRAM: высокую цену и технические ограничения (подробнее о них ниже):
Новая память базируется на архитектуре с многослойными массивами ячеек, расположенными не только горизонтально, но и в несколько слоев друг над другом. С таким подходом можно увеличить емкость без снижения скорости и роста размера чипа. 3D Matrix Memory еще и совместима с отраслевыми стандартами вроде CXL, а это упрощает ее интеграцию в современные системы. Над технологией SanDisk работает совместно с исследовательским центром IMEC.
CXL (computer Express Link) — высокоскоростной интерфейс, созданный для эффективного сочетания в одной системе производительных процессоров, оперативной памяти и ускорителей (например, GPU, FPGA, специализированных AI-чипов). Основа — PCI для снижения задержек, увеличения пропускной способности и оптимизации работы с разделяемой памятью в современных вычислительных системах, включая серверы и центры обработки данных.
Зачем понадобилась новая технология? Чтобы преодолеть так называемую «стену памяти». Это когда емкость и скорость ОЗУ перестают успевать за растущими запросами на обработку данных. SanDisk объясняет, что развитие DRAM-технологий замедляется: закон Мура больше не работает как раньше, разрыв между мощностью процессоров и памятью растет, а производство становится все дороже.
3D Matrix Memory служит своего рода спасательным кругом в этой ситуации. Компания уверяет, что новая технология позволит
