AMD использует толстые слои фиктивного кремния на ПЗС-матрице Ryzen 7 9800X3D для обеспечения стабильной структуры

playground.ru:

Толщина стека ПЗС с 3D V-Cache в процессоре AMD Ryzen 7 9800X3D составляет всего 40–45 мкм, но остальные слои в сумме дают колоссальные 750 мкм, что совершенно не функционально, но имеет решающее значение для стабильности.

Безумная игровая производительность AMD Ryzen 7 9800X3D не нуждается в представлении. После внедрения технологии 3D V-Cache в Ryzen 7 5800X3D, AMD впервые изменила способ размещения 3D-стеков на подложке. В предыдущих чипах X3D 3D-чиплет располагался поверх Core Complex Die, что позволяло ядрам иметь прямой доступ ко всей этой дополнительной кэш-памяти L3, но в 9800X3D 3D-чиплет располагался под CCD.

Это небольшое, но существенное изменение привело к снижению температуры и раскрыло потенциал разгона AMD Ryzen 7 9800X3D, позволив ему достичь 4,7 ГГц даже на базовой частоте. Однако конструкция CCD немного необычна по сравнению с предыдущими чипами X3D. Аналитик по полупроводникам Том Вассик проанализировал CCD на 9800X3D и обнаружил , что большая часть кремния на нем довольно бесполезна.

Это не значит, что он бесполезен, но он не участвует в работе нисколько. Слои кремния CCD и SRAM имеют толщину всего 7,2 мкм и 6 мкм соответственно, а общая толщина кристалла с межсоединениями и прочим составляет всего 40–45 мкм. Однако общая толщина CCD составляет около 800 мкм, что оставляет 750 мкм слоев кремния. Этот толстый слой не содержит никакой функциональной части, а скорее прилипает к стеку, чтобы улучшить структурную поддержку и обеспечить большую защиту.

Поскольку слои SRAM и CCD довольно тонкие, они довольно хрупкие и могут привести к повреждению во время производства или обработки. С добавлением фиктивного кремния проблема устранена. Помимо фиктивного кремния, кремний SRAM также расширяется по бокам на 50 мкм