CXMT тестирует высокоплотную DRAM без EUV-литографии, которую Apple может начать использовать в iPhone
Китайская компания CXMT тестирует производство высокоплотной DRAM нового поколения с использованием новой технологии, обходясь без EUV-литографии. Сейчас технология проходит испытания на пилотной линии в Хэфэе, и CXMT может вскоре стать поставщиком Apple, что поможет американской компании снизить риск дефицита памяти для iPhone.
Технология (wafer-to-wafer hybrid bonding) позволяет напрямую соединять две кремниевые пластины, что сокращает длину межсоединений, уменьшает задержки и снижает энергопотребление. В такой архитектуре массив ячеек памяти и управляющая логика размещаются на отдельных пластинах, что даёт возможность использовать разные техпроцессы для каждой части чипа. Для китайских производителей это особенно важно, поскольку ASML по-прежнему не поставляет в Китай EUV-сканеры, и CXMT вынуждена применять DUV и мультипаттернинг.
Использование подобной технологии в высокоплотной DRAM позволит Apple освободить место на плате iPhone для новых компонентов и улучшить пользовательский опыт. По данным аналитиков, Apple рассматривает CXMT как потенциального поставщика не ради снижения цен, а для минимизации риска дефицита DRAM: за последние годы стоимость 12GB LPDDR5X RAM для Apple выросла с $39 до $145 за чип (примерно с 3 000 до 11 200).
Сейчас CXMT находится на этапе исследований и разработок, и массовое производство высокоплотной DRAM может занять ещё несколько лет. Тем временем компания уже переводит 20% своих линий под выпуск HBM и активно работает над HBM3 и HBM3E, сокращая технологический разрыв с корейскими конкурентами. По оценкам, отставание Китая от Кореи в области DRAM и HBM составляет около трёх лет. В первом квартале 2026 года доля CXMT на мировом рынке DRAM достигла 8%.
Эксперты отмечают, что успех CXMT способен
