На Samsung, SK hynix и Micron подали коллективный иск из-за сговора и дефицита оперативной памяти
Юридические фирмы Bathaee Dunne LLP и Hagens Berman 25 июня 2026 года подали федеральный коллективный иск против Samsung, SK hynix и Micron — крупнейших производителей оперативной памяти. В Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии подан иск, в котором компании обвиняют в сговоре, по мнению истцов, они искусственно ограничивали поставки DRAM и завышали цены на фоне растущего спроса.
В материалах дела утверждается, что производители координированно сокращали выпуск стандартных модулей DDR3 и DDR4, одновременно переводя производственные мощности на более дорогую память HBM (High Bandwidth Memory), востребованную в серверах и ускорителях искусственного интеллекта, что вызвало дефицит потребительских модулей и спровоцировало резкий рост цен на рынке.
В иске говорится, что с 2022 года цены на оперативную память выросли примерно на 700%. Эксперты связывают это с бурным ростом спроса со стороны индустрии искусственного интеллекта и дата-центров, значительная часть продукции ушла на серверные нужды, а для обычных пользователей память стала дефицитной. Отдельно отмечается, что компания Micron закрыла своё потребительское подразделение Crucial в период максимальной рентабельности, что, по мнению истцов, также способствовало сокращению предложения на массовом рынке.
Истцы требуют компенсацию для всех покупателей и компаний, которые переплачивали за оперативную память или устройства с DRAM. Если суд встанет на сторону истцов, производителям могут назначить компенсации всем, кто покупал память или устройства по завышенным ценам в период предполагаемого сговора.
В иске также напоминается, что в начале 2000-х Samsung и SK hynix уже признавали вину в картельном сговоре на рынке DRAM и выплатили в совокупности 731 миллион долларов
