AMD предложила способ удвоения скорости DDR5
AMD предложила необычное инженерное решение, которое может значительно увеличить скорость работы оперативной памяти, при этом модернизируя DDR5. без создания нового поколения. Технология, описанная в недавно опубликованном патенте компании, способна удвоить пропускную способность модулей текущего поколения изменив их архитектуру.
Новый подход предполагает создание модулей HB-DIMM (модули памяти с высокой пропускной способностью), ключевым элементом которых являются специальные буферные чипы, которые управляются несколькими устройствами DRAM одновременно. Чипы организуют поток данных таким образом, что эффективная скорость передачи на шине памяти возрастает с 6.4 Гбит/с до 12.8 Гбит/с.
Основное преимущество разработки — совместимость с уже отлаженными производственными процессами. Для выхода технологии на рынок не потребуется кардинально менять стандарты или заводские линии. В основе архитектуры лежит система так называемых псевдоканалов, где специальный контроллер декодирует команды и распределяет задачи между этими независимыми каналами, что позволяет организовать параллельную обработку данных, уходя от традиционного последовательного доступа, который ограничивает общую пропускную способность.
Технология поддерживает гибкие режимы работы (1n и 2n), что помогает оптимизировать тайминги и снизить энергозависимость, а для снижения задержек инженеры AMD также предусмотрели использование не чередующегося формата передачи данных, который положительно сказывается на целостности сигнала. Новая патентная заявка — часть общей стратегии AMD, направленной на поиск точечных инженерных улучшений для преодоления системных узких мест. Ранее компания уже представляла патенты в области систем охлаждения и оптимизации работы кеш-памяти.
Вмест
