Intel 14A Gen2 получит питание с двух сторон и 21-нм межсоединения
Intel впервые внедрит питание с двух сторон в технологическом узле 14A Gen2 (14A2): питание будет подаваться и с лицевой, и с обратной стороны чипа. Такой подход выбран для увеличения плотности транзисторов и снижения потерь напряжения — это критично на фоне конкуренции с TSMC и Samsung. Главное новшество — уменьшение шага межсоединений M0: если в базовой 14A он составляет 28 нм, то в 14A2 его снизят до 21 нм.
В 14A2 основная подача питания будет реализована через заднюю сторону кристалла (технология BSPDN), а часть передней стороны останется для дополнительного питания и передачи тактового сигнала. Такое решение помогает снизить сопротивление проводников при уменьшении шага межсоединений и минимизировать потери напряжения в чипе.
Для достижения высокой плотности потребуется двойная экспозиция (double patterning) и преодоление ограничений современных литографических процессов. Несмотря на усложнение разводки, такой компромисс позволяет реализовать 21-нм шаг межсоединений и обеспечить дальнейший рост плотности транзисторов относительно 14A, где уже заявлен прирост на 30%.
Выпуск набора для проектирования для внешних заказчиков намечен на октябрь 2026 года. Массовое производство по технологии 14A ожидается в 2029 году, а риск-производство стартует в 2028-м, что позволит Intel конкурировать с TSMC, которая уже стабилизировала выход годных пластин семейства N2 в 2025–2026 годах и планирует начать поставки 1,4-нм продукции к запуску риск-производства Intel 14A. Samsung, в свою очередь, собирается коммерциализировать улучшенный 2-нм процесс SF2Z с задней подачей питания уже в 2027 году.
Как считаете, сможет ли двусторонняя подача питания и снижение шага межсоединений до 21 нм помочь Intel догнать или даже опередить TSMC и Samsung
