Компания Samsung представила безбуферный твердотельный накопитель серии 990 на базе памяти QLC
Компания Samsung выпустила на рынок новый твердотельный накопитель Samsung 990, позиционирующийся как решение начального уровня. Устройство выполнено в форм-факторе M.2-2280, использует интерфейс PCIe 4.0 x4 и базируется на флеш-памяти типа QLC без выделенного буфера DRAM.
Новинку не следует путать с ранее вышедшей моделью 990 EVO, которая оснащается более быстрой памятью типа TLC. В основе новой модели Samsung 990 лежит фирменный контроллер Samsung Piccolo-Q и 280-слойная флеш-память 3D QLC NAND девятого поколения V9. Накопитель ориентирован на более доступный сегмент рынка, однако его стоимость оказалась относительно высокой из-за текущей рыночной ситуации. Версия объемом 1 ТБ оценена производителем в 270 долларов, а модификация емкостью 2 ТБ обойдется покупателям в 530 долларов.
Что касается технических характеристик, версия накопителя объемом 1 ТБ обеспечивает скорость последовательного чтения до 7150 МБ/с и последовательной записи до 6450 МБ/с. Производительность при случайном чтении блоков 4К достигает 700 000 IOPS, а при записи составляет до 1.1 млн IOPS. Старшая модель емкостью 2 ТБ работает быстрее, демонстрируя скорость последовательного чтения до 7250 МБ/с и последовательной записи до 6450 МБ/с. Показатели случайного чтения и записи для нее составляют до 850 000 IOPS и до 1.2 млн IOPS соответственно.
Главным отличием новинки от моделей на базе памяти TLC, таких как 990 EVO Plus, стал сниженный ресурс записи. Для версии объемом 1 ТБ показатель гарантированного объема записи составляет 400 TBW, в то время как вариант на 2 ТБ рассчитан на 800 TBW. Для сравнения, аналогичные накопители 990 EVO Plus предлагают ресурс в 600 TBW и 1200 TBW соответственно. На обе модификации предоставляется ограниченная гарантия сроком
