Intel бросает вызов HBM: показан работающий прототип памяти, которая должна быть на 50% экономичнее. Это всерьёз?
На технической конференции в Японии корпорация Intel впервые продемонстрировала публике действующий прототип новой памяти Z-Angle Memory (ZAM). Разработка, ведущаяся совместно с японской Saimemory (дочерней компанией SoftBank), позиционируется как потенциальная альтернатива доминирующей сегодня памяти HBM в сегменте высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта.
Ключевой акцент инженеры Intel делают на преодолении двух главных проблем современных систем: высокого энергопотребления и тепловыделения. Суть инновации — в изменении архитектуры соединений внутри стека чипов. Если в HBM вертикальные соединения проходят строго сверху вниз, то в ZAM они прокладываются по диагонали (под углом, «Z-angle»). Такая, казалось бы, тонкая топологическая разница, по заявлениям разработчиков, даёт существенные преимущества.
Ожидается, что новая архитектура позволит снизить энергопотребление на 40–50% по сравнению с текущими решениями, упростит производственный процесс и обеспечит увеличение плотности размещения данных. В перспективе на одном чипе памяти ZAM может размещаться до 512 ГБ. Это значимый шаг для Intel, которая десятилетиями не занималась самостоятельной разработкой DRAM-памяти.
Показывая работающий прототип, компания демонстрирует серьёзность своих намерений. На мероприятии Intel Connection Japan 2026 технологию представили ключевые технические специалисты, что подчёркивает стратегический характер проекта. Роль Intel в нём определена как начальные инвестиции и стратегические решения, в то время как Saimemory, вероятно, обеспечивает производственные компетенции.
Появление ZAM — попытка бросить вызов устоявшемуся рынку высокоскоростной памяти, критически важной для развития ИИ. Если заявленные характеристики
