DDR6 всё ближе: Samsung, SK hynix и Micron начали активную разработку
Три ведущих производителя оперативной памяти (Samsung, SK hynix и Micron), синхронно перешли к практической фазе разработки модулей стандарта DDR6. По данным южнокорейского издания The Elec, отрасль вошла в стадию так называемой совместной разработки, так что чипмейкеры уже передали производителям подложек технические чертежи и запросили ускорение темпов производства экспериментальных решений. Источники, знакомые с ситуацией, утверждают, что первые инженерные прототипы DDR6 уже проходят лабораторные испытания, хотя публичных демонстраций пока не проводилось.
В индустрии полупроводников существует негласный тайминг: плотное взаимодействие между разработчиками чипов и их партнерами по подложкам активизируется примерно за два года до запланированного коммерческого запуска. Судя по тому, что процесс стартовал только сейчас, можно сделать вывод, что ждать выхода DDR6 в текущем году не стоит.
Новый стандарт обещает серьезный скачок пропускной способности. Согласно предварительным спецификациям, которые ранее анонсировал комитет JEDEC, диапазон скоростей DDR6 стартует с отметки 8,4 Гбит/с на контакт и должен эволюционировать вплоть до 17,6 Гбит/с по мере зрелости техпроцесса. Параллельно ведется работа над мобильной версией стандарта — LPDDR6, для которой заявлено снижение рабочего напряжения менее чем до 1,0 В, что критически важно для автономных устройств и энергоэффективных дата-центров.
Потенциальным потребителем выступает не рынок PC, а корпоративный сектор, подогреваемый бумом нейросетей. Именно требования крупных дата-центров к пропускной способности и объему памяти диктуют темпы внедрения и предложения DDR5 (которая уже занимает более 80% серверного рынка) катастрофически не хватает для обучения больших языковых моделей.
За
